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國際集成電路頂會(huì)收錄論文數(shù)公布,中國首次位居世界第一
- IT之家 11 月 20 日消息,相對(duì)于 IEEE 國際研討會(huì),在半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域還有著三大盛會(huì)的存在,他們分別是:ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,國際固態(tài)電路會(huì)議)、IEDM(International Electron Devices Meeting,國際電子器件會(huì)議)、VLSI(Symposium on VLSI Technology and Circuits,超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會(huì))。這三大會(huì)議,并稱集
- 關(guān)鍵字: ISSCC IEDM VLSI IEEE
走進(jìn)這個(gè)完成“不可思議”任務(wù)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),一文解讀集成電路設(shè)計(jì)的創(chuàng)新密碼
- 高質(zhì)量科技論文數(shù)量通常被認(rèn)為與一個(gè)機(jī)構(gòu)的科研實(shí)力正相關(guān)。作為世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域最高級(jí)別會(huì)議,ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)的年度大會(huì)論文就是一個(gè)重要的觀察窗口,每年各個(gè)國家和地區(qū)以及全球重要的半導(dǎo)體企業(yè)入選論文的數(shù)量、主題和反映的技術(shù)發(fā)展趨勢都成為圈內(nèi)熱門的話題?! ≈袊箨懺?016年到2019年四年時(shí)間內(nèi)共有17篇論文入選,呈現(xiàn)持續(xù)增長態(tài)勢。特別值得一提的是其中有一個(gè)機(jī)構(gòu)連續(xù)四年都有論
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ISSCC 2019會(huì)議搶先看:哪些技術(shù)有新進(jìn)展?
- 芯片奧林匹克——IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì)(ISSCC 2019)推介會(huì)近日珠海舉行,ISSCC遠(yuǎn)東技術(shù)委員會(huì)會(huì)員及特邀嘉賓魏少軍教授到場?! ∥荷佘姡褐袊a(chǎn)學(xué)界最缺的是技術(shù) “我們現(xiàn)在不缺資金,最缺技術(shù)?!? 中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長魏少軍教授說,“我們之所以產(chǎn)品有競爭力,一是因?yàn)槲覀兛拷袌?,二是靠價(jià)格?!遍L期以來,我們靠EDA等工具來提升,不是真正有好的創(chuàng)新和設(shè)計(jì)。魏教授呼吁,技術(shù)問題是根本,我們要掌握世界最先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù),因此要聽一流的學(xué)術(shù)報(bào)告。ISSCC(IEEE國際固
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從ISSCC 2018會(huì)議看電源管理的五大創(chuàng)新
- 作者 / 迎九 近日,在“2018-IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì)(ISSCC 2018)北京發(fā)布會(huì)”上,ISSCC模擬集成電路委員會(huì)委員、復(fù)旦大學(xué)洪志良教授介紹了電源管理方面的最新成果。 衡量電源好壞主要有三個(gè)指標(biāo):1.性能,其中效率是重要指標(biāo),2.功能,3,成本。電源非常重要,例如手機(jī)電源不好,會(huì)引起爆炸?! ‰娫崔D(zhuǎn)換器技術(shù)主要用三種途徑提升效率:1.新的電源架構(gòu),2.新的控制技術(shù),3.用數(shù)字技術(shù)來輔助實(shí)現(xiàn)模擬電源?! 腎SSCC 2018會(huì)議錄用的論文,可以看到主要有五大方向?! ?第一個(gè)方向是開關(guān)
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10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC
- 一年一度的“國際固態(tài)電路會(huì)議”(ISSCC)將在明年2月舉行,幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布,讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構(gòu)搭載十核心的創(chuàng)新行動(dòng)SoC。此外,指紋辨識(shí)、視覺處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術(shù)也將在此展示最新開發(fā)成果。 三星將提供更多DRAM與快
- 關(guān)鍵字: SRAM ISSCC
在ISSCC 2015,工程師們都在聊什么?
- 三星描述了第二代128 Gbit 3D NAND Flash。這個(gè)韓國巨頭在密集型閃存中領(lǐng)先,并有望在今年晚些時(shí)候擊敗臺(tái)積電14/16 nm 。事實(shí)上,幫助它保留住主要競爭對(duì)手蘋果作為代工客戶。 ISSCC只有少部分論文只有臺(tái)積電 16 nm工藝。預(yù)計(jì)明年會(huì)有更多,并且會(huì)有首次來自使用Intel 14 nm FinFET工藝的論文。 來自加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校的Behzad Razavi 表示,他看到了用帶有收發(fā)器的軟件無線電降低到DSP連接小型ADC和天線的趨勢,雖然接收機(jī)仍然需要復(fù)雜
- 關(guān)鍵字: ISSCC 物聯(lián)網(wǎng)
ISSCC 2015的十大見聞
- 今年的國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)再次見證了一系列的芯片創(chuàng)新。盡管成本上升和追逐摩爾定律的復(fù)雜性,在這個(gè)芯片設(shè)計(jì)者的年度盛會(huì)上,工程師們?cè)O(shè)計(jì)出更小、更快、更豐富的器件,為一個(gè)新而陌生的超低功耗設(shè)計(jì)世界的呈現(xiàn)了一些別有風(fēng)味的“小菜”。 對(duì)于3D芯片堆疊的討論 ISSCC會(huì)議上回蕩著一群設(shè)計(jì)者對(duì)于試圖從更多的日益復(fù)雜和昂貴的工藝節(jié)點(diǎn)中擠出更多的抱怨聲。“我們應(yīng)該繼續(xù)擴(kuò)展到7nm和5nm,但我們需要從這些節(jié)點(diǎn)獲得更多,”高通技術(shù)副總裁Geoffr
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2012 國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2012)北京推介會(huì)
- 2012年國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2012)北京推介會(huì)日前在北京清華大學(xué)成功召開。ISSCC( International Solid-State Circuits Conference 國際固態(tài)電路會(huì)議)始于1953年,每年一屆,是由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(huì)(SSCS)主辦的最著名的半導(dǎo)體集成電路國際學(xué)術(shù)會(huì)議。ISSCC也是世界上規(guī)模最大、水平最高的固態(tài)電路國際會(huì)議,歷屆都有遍及世界各地的數(shù)千名學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界人士參加。
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23億個(gè)晶體管 處理器挑戰(zhàn)集成度及性能極限
- 盡管高登-E-摩爾(Gordon E. Moore)提出警告,認(rèn)為“摩爾法則”無法繼續(xù)有效,但微處理器的高集成度化仍在進(jìn)一步發(fā)展,并為性能的提高作出重大貢獻(xiàn)。雖然處理器內(nèi)核的數(shù)量及緩存容量持續(xù)增加,但目前仍存在諸多應(yīng)該解決的重要課題,其中包括芯片間的通信性能出現(xiàn)瓶頸、耗電量增加、以及由于軟錯(cuò)誤及缺陷造成的錯(cuò)誤等導(dǎo)致的可靠性低下等。另外,芯片內(nèi)的時(shí)鐘及電源分配難度也很高,因此要求進(jìn)一步革新電路技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: ISSCC 處理器 晶體管 集成度 性能 極限
ISSCC亮相中國 從單一IC消費(fèi)向設(shè)計(jì)與應(yīng)用并舉演變
- 隨著中國IC設(shè)計(jì)能力的快速提升,中國大陸正從單一的IC消費(fèi)市場向IC設(shè)計(jì)與應(yīng)用并舉演變。正是看到這一發(fā)展趨勢,國際固態(tài)電子電路會(huì)議(ISSCC)日前經(jīng)由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì),并在中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)IC設(shè)計(jì)分會(huì)及IDT上海協(xié)助下,在上海舉行了ISSCC介紹會(huì),首次將觸角伸到了中國。
- 關(guān)鍵字: IC消費(fèi) ISSCC 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 設(shè)計(jì)與應(yīng)用 演變
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